2024年10月24日

本发明提供一种相变存储单元及其制造方法，本发明在不增加工艺复杂度的情况下，巧妙简单地在第一下电极与相变材料层之 […]

本发明提供相变存储单元及其制备方法，采用厚度与单个晶胞或者多个晶胞尺度相当的相变材料层，使相变材料基本上体现出

本发明涉及一种亲水性聚偏氟乙烯中空纤维膜的制备方法，包括：（1）将端氢硅油与端乙烯基聚乙二醇单甲醚溶解在甲苯中

本发明涉及检测领域，特别是涉及一种基于非修饰单层石墨烯作为工作电极的纳米颗粒增强检测装置及其应用。本发明提供一

本发明提供一种利用C掺杂SiGe调制层制备SGOI或GOI的方法，包括步骤：1）于SOI的顶硅层表面形成C掺杂

本发明公开了一系列纳米结构金属粉末的制备方法。以废金属屑为原料，采用高能球磨方法制备。先将金属屑放入破碎机内破

本发明提供一种石墨烯场效应管的制作方法,包括：提供表面形成有二氧化硅层的半导体衬底；形成浮动电势交流介电泳结构

本发明提供一种高速低功耗相变存储器单元及其制备方法，用于提升相变存储器中相变存储单元的操作速度，降低相变存储单

本发明提供一种应变结构及其制作方法，该方法至少包括以下步骤：S1：提供一衬底，在所述衬底表面自下而上依次形成一

本发明提供一种纳米过滤膜及其制备方法、荧光石墨烯量子点的制备方法，所述纳米过滤膜至少包括：功能层，包括若干贯穿