重点成果

本发明提供了一种制备石墨烯纳米孔阵列的方法，包括以下步骤：1）将碳源溶液涂敷在多孔阳极氧化铝模板的表面；2）将

本发明提供一种薄膜图形化方法，该方法至少包括以下步骤：提供一非金属衬底，并在该非金属衬底上形成光刻胶；进行光学

本发明提供一种制备半导体弛豫、应变材料并使其层转移的方法，首先在Si衬底上依次外延生长中间薄层、Si外延层、及

本发明提供一种GaAsOI结构及Ⅲ-ⅤOI结构的制备方法，先通过外延技术和离子注入技术形成半导体衬底、GaAs

本发明涉及一种通过控制凝固过程来制备亚稳相工程材料的方法，原材料是质量比为铁79.9%-98%，锰2.0%-1

本发明公开了一种转盘式多样品同步摩擦磨损试验装置，包括：样品台、固定装置、驱动装置、对磨副、加载装置和摩擦系数

本发明提供一种基于竖直石墨烯的场发射电极的图形化制备方法，以耐酸性不同的金属为过渡图形化掩模层，首先利用两步图

本发明提供了一种八面体单元桁架张力蒙皮结构，由八面体单元变几何桁架和超弹性薄膜张力蒙皮组成。八面体单元变几何桁

本发明涉及一种宏量制备石墨烯量子点粉体的方法，本方法从天然鳞片石墨出发，分三步实现宏量制备粉状石墨烯量子点：第

本发明提供一种利用C掺杂SiGe调制层制备SGOI或GOI的方法，包括步骤：1）于SOI的顶硅层表面形成C掺杂