半导体

本发明公开了一种光学限幅器，包括非线性光学介质和硅薄膜。非线性光学介质具有正的非线性折射系数，硅薄膜上具有经过

本发明提供一种Ⅲ-ⅤOI结构的制备方法，至少包括以下步骤：1）提供一半导体衬底，于所述半导体衬底表面形成GaA

本发明提供了一种亲水性聚偏氟乙烯中空纤维膜的制备方法，其特征在于，具体步骤为：将聚偏氟乙烯、复合稀释剂以及两亲

本发明提供一种石墨烯场效应器件集成方法。该方法在衬底上形成栅电极与对准标记。接下来制备出具有高介电常数的Al2

本发明涉及一种基于生物模板仿生制备具有pH响应的复合智能高分子光子晶体的方法，属于材料科学领域，包括以下几个步

本发明涉及微电子技术领域的金属元素掺杂的相变材料，尤其涉及一种用于相变存储器的富锑高速相变材料及其制备方法和应

本发明提供一种GaAsOI结构及Ⅲ-ⅤOI结构的制备方法，先通过外延技术和离子注入技术形成半导体衬底、GaAs

本发明涉及一种三维分级结构石墨烯/多孔碳复合电容型脱盐电极的制备方法，属于电容型脱盐电极的制备领域。本发明将二

本发明提供了一种制备石墨烯纳米孔阵列的方法，包括以下步骤：1）将碳源溶液涂敷在多孔阳极氧化铝模板的表面；2）将

本发明提供一种薄膜图形化方法，该方法至少包括以下步骤：提供一非金属衬底，并在该非金属衬底上形成光刻胶；进行光学