双金属氧化物半导体纳米晶溶胶的低温可控制备方法
本发明涉及一种双金属氧化物半导体纳米晶溶胶的低温可控制备方法,属于半导体纳米晶的制备技术领域。以两种可溶性金属 […]
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本发明涉及一种双金属氧化物半导体纳米晶溶胶的低温可控制备方法,属于半导体纳米晶的制备技术领域。以两种可溶性金属 […]
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本发明公开一种用于降低等离子体显示器功耗的场发射阵列制备方法,先进行PDP前面板的清洗烘干;均匀碳纳米管薄膜的
一种用于降低等离子体显示器功耗的场发射阵列制备方法 Read More »
本发明提供了一种在具有原子级平整度解理面的绝缘基底上生长石墨烯纳米带的方法,属于低维材料和新材料领域。该方法包
一种在绝缘基底上制备石墨烯纳米带的方法 Read More »
一种电流制备半固态金属浆/坯料的方法及其装置,方法的后续工序包括:(1)将合金精炼后导入保温炉,并将金属浆/坯
电流制备半固态金属浆/坯料的方法及装置 Read More »
本发明涉及一种基于生物模板制备磁性的光子晶体的方法,属于材料科学领域,包括以下几个步骤:步骤一,对生物模板进行
一种基于生物模板制备磁性的光子晶体的方法 Read More »
本发明提供一种具有纳米存储性能的相变存储器的制备方法,结合FIB设备特有的纳米加工性能以及半导体公司规模化加工
一种具有纳米存储性能的相变存储器的制备方法 Read More »
本发明涉及一种石墨烯修饰的铂电极,所述的铂电极是以在硅片上氧化生成二氧化硅层为基体,然后在二氧化硅基体上蒸镀金
一种石墨烯修饰的Pt电极及检测痕量重金属的方法 Read More »
本发明揭示了一种用于高温环境的N-Ge-Te相变薄膜材料及其制备方法,该材料的组分通式为Nx(GeyTe1-y
用于高温环境的N-Ge-Te相变存储材料及制备方法 Read More »